【推测】关于ES及PLUS系列异常原理推测

关于ES系列及PLUS系列异常原理推测(不包括为什么r及根号可以引发异常)
ES系列和PLUS系列内存里都有一个堆栈,我还不知道这个堆栈是不是程序堆栈,在显示带括号的字符或自然书写的字符时,堆栈就会升高,在异常模式下,这个堆栈的栈底指针会向前移动,从而改变堆栈的位置,我还不知道它移动的原因,但是堆栈的位置改变后就会影响到其他的内存区域,当影响到显存时,就形成了乱点模式,影响到其他不同区域时,就形成了不同的异常模式,同时,堆栈本身也会受到影响,堆栈本身受到影响时可能会死机

根据这个原理,我制定了PLUS系列的模式命名方法,就按照次数命名,在那些根号上面按等于会使堆栈的栈底指针向前移动68个字节(我测出来的),以两个字节为一个单位,也就是两个等于之间有34个模式,同理,两个CALC之间有11个模式,那么命名模式就用一个带分数,前面是次数,分子是这个次数的第几个模式,分母是34,现在我可以测出大多数模式的次数,方法比较复杂,下次再发

现在先说一下内模式(如计时模式测次数的方法),为了方便,计时模式不用上面那种命名方法(当然用也可以,但是比较麻烦),在计时模式下一直按Ans,直到刚好出乱码,记下刚好出乱码时按的Ans的个数,以这个数字来命名计时模式就可以了,这个数字和上面那种命名方法的次数是有转换公式的,下次再发

我已经用实体机验证了

为什么没人回?顶起