直接入正题
fx-82ES plus P0-7点用示波器观察非公共接点和公共接点没有发现波形，应该可以确定这些脚的内部不是扫描形式或者GPIO。这样的话，个人认为公共引脚应该呈现低电平或者高电平。关机状态下测量P2对Gnd为13k，对Vcc为3k，借此判断公共脚应能提供对Gnd小于4.7k的下拉电阻。实际测量公共接点对Gnd为7m，对VCC为无穷，判断为cmos门的泄露电阻。那么，是不是应该能确定这个公共接点出了一些问题呢（做手脚）？本人没有其他的可以硬改的机器，可以的话麻烦有的朋友提供数据对比。
另，个人认为T101-T103与P的特性相同，是否也有控制作用？
如果SP为光电池引脚，能排除D101（未出现二极管）和P80之间的所有引线。C103（降低电池波动，未出现）为电池电压，没变化，排除。C110-C112有2kHZ的信号，判断为段扫描Cx，也可以排除。这样的话上面的大封装应该就是一个带字库的点阵显示控制芯片。（12864类的？）69-47也就是地址、数据和控制。
剩下的应该是P77到P76之间的点，其中P77和P76为电源，P74（P101）为第二电源，剩下P71/72/73/75/81符合SPI接口的数目和流水写程序的设计结构。无奈时间不够了，没有测量。本想也可能是JTAG，但这种超低功耗core的应该用不上吧……
主站发不上去？放这里了。
乱分析的，大家继续啊！
fx-82ES plus P0-7点用示波器观察非公共接点和公共接点没有发现波形，应该可以确定这些脚的内部不是扫描形式或者GPIO。这样的话，个人认为公共引脚应该呈现低电平或者高电平。关机状态下测量P2对Gnd为13k，对Vcc为3k，借此判断公共脚应能提供对Gnd小于4.7k的下拉电阻。实际测量公共接点对Gnd为7m，对VCC为无穷，判断为cmos门的泄露电阻。那么，是不是应该能确定这个公共接点出了一些问题呢（做手脚）？本人没有其他的可以硬改的机器，可以的话麻烦有的朋友提供数据对比。
另，个人认为T101-T103与P的特性相同，是否也有控制作用？
如果SP为光电池引脚，能排除D101（未出现二极管）和P80之间的所有引线。C103（降低电池波动，未出现）为电池电压，没变化，排除。C110-C112有2kHZ的信号，判断为段扫描Cx，也可以排除。这样的话上面的大封装应该就是一个带字库的点阵显示控制芯片。（12864类的？）69-47也就是地址、数据和控制。
剩下的应该是P77到P76之间的点，其中P77和P76为电源，P74（P101）为第二电源，剩下P71/72/73/75/81符合SPI接口的数目和流水写程序的设计结构。无奈时间不够了，没有测量。本想也可能是JTAG，但这种超低功耗core的应该用不上吧……
主站发不上去？放这里了。
乱分析的，大家继续啊！
