【模拟器】软件版本&原理の成果讨论

也许火星很久了...但是一直没有发现相关的帖子..顺便惋惜反省一下为什么到现在才想到...T_T

不同版本模拟器搜索GY- 字符串的结果
95SG GY-458B
82AU GY-459B
86DE GY-462C
92A GY-468A
92B GY-461B
500VN GY-460C
82/85/350 GY-450B
可以看出模拟器都是A,B,C版的,模拟器应该是把功能一样的版本简并了，所以82什么的编号都一样。实体机上ABC版都是双核的.所以无法溢出..但是模拟器强行改RAM达到溢出状态也不是没可能,但是唯一的参照只有es的模拟器,这并不是不太有利...还有,到现在都还没有发现控制溢出强度的部分到底在哪里...是单个字符还是一系列字符.不过从各种现象看..都肯定是执行了溢出造成变化的指令导致异常.

B和E的区别有可能在于双核和单核的和硬件有关的“驱动”（个人想法）

至于GY还是LY,SUM,也许有,但是,应该关系不是很大了..

然后说一下条形码拼字原理..PLUS的模拟器，当输入区99个全部填满后，这时如果第100个不是00，那么从输入区往下的很大一部分区域就会被第101到M的符填充..但是es的模拟器好像是前一百个?忘记了...反正es的模拟器会死机，而且是119那种，而PLUS按ON可以复活

做个试验= =1到100和100-到M亮,M亮到恢复正常显示三个区域.填不同的数据,然后按照一般的溢出步骤回去按AC,左,等于.会发现从输入区开始一直向下的区域包括显存都被101到M的数据平铺了.所以会出可以拼字的情况.现在是死机状态,但是和PLUS的r死机不同,现在是有数据在处理..CPU使用率一直在25%,拼字应该就是在显存被填充以后刷新了一次屏幕出现的情况..

诶忘记截第一张图了..下面两张都是按完等于以后的..反正就是都被中间那一部分覆盖了啦..

（红色的是显存）

至于改变模式,应该就是在处理这些数据的过程中影响了输入区上方控制模式的区域吧..那也就是说,显存上方和下方这么大一块一般情况下都00的内存,应该是很重要的临时信息区域,

ES的r,执行运算后,也是会有信息平铺填充的情况..这说明PLUS和es溢出的原理是一样的，只不过途径不一样而已。

es模拟器r前一分之一等于后的情况，同样是循环。